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    RRAM阻變式存儲器測試儀

    RRAM阻變式存儲器測試儀

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    應用領域主要有:
    Ferroelectric/ Multiferroic Tunnel-Junctions (FTJ/MFTJ) 鐵電/多鐵隧道結
    Electro-Chemical Metallization Memory (ECM) 電化反應存儲器
    Magnetoresistive Tunnel-Junctions (MTJ) 磁阻隧道結
    Electronic Effect Memory (EE

    RRAM阻變式存儲器測試儀的詳細資料:

    RRAM阻變式存儲器測試儀
    (RRAM or ReRAM Test Systems)


    本設備是世界獨特的阻變式存儲器 ReRAM/RRAM,Resistive Random Access Memory)測試系統。

    應用領域主要有:
    Ferroelectric/ Multiferroic Tunnel-Junctions (FTJ/MFTJ) 鐵電/多鐵隧道結
    Electro-Chemical Metallization Memory (ECM) 電化反應存儲器
    Magnetoresistive Tunnel-Junctions (MTJ) 磁阻隧道結
    Electronic Effect Memory (EEM) 電子效應存儲器
    Thermo-Chemical Memory (TCM) 熱化存儲器
    Valence Change Memory (VCM) 價變存儲器
    Phase Change Memory (PCM) 相變存儲器
    Nano Electro-Mechanical Memory (NEMM) 納米機電存儲器
    Molecular Electronic Switch 分子電子開關

    電阻開關測試系統Resistive Switching Test Systems RS系列儀器是aixACCT公司獨特產品,用于電阻特性隨機存儲器(RRAM)和電阻開關(RS)的研究測試。
    RS系列儀器能夠提供相當廣的范圍的測試解決方案,范圍涵蓋從納米尺度的表征到超高速器件的測試,從獨立的研發級的桌上型測試系統到半導體生產線。

    研究及工業級系統 Research and Industry Tools
    模塊化的設計理念,使得aixACCT產品可以在任何時候從基本的材料表征工具升級其他的選件配置。這提供了最大的靈活性,可以使您的測試系統達到針對您的材料或器件發展的任何階段的特定要求。

    RRAM測試系統可以很容易的和其他設備或通用軟件聯用,如:
    1英寸到8英寸晶圓的熱臺;
    用于樣品平行測試的Switchbox系統
    用于晶圓掃描信息的自動晶圓探針臺
    自動性能測試序列的遠程控制
    脈沖發生器、數字采樣示波器

    aixACCT公司開發出了一種通用的RS模塊用于電阻開關存儲器的測試。系統基于TF Analyzer 2000系統,聯用RS模塊和特定的電流監視放大器,可以滿足RRAM的表征。 系統配置了高精度電壓和電流源以及高級電壓、電流監視放大器。aixACCT的超快電流和電壓適應性保證了每次電阻開關系統測試的高精度和可靠性測量。

    該測試系統完全兼容aixACCT的測試軟件和選配軟件工具,可以提供可靠性測試和數據分析及交換。

    應用:
    單極及雙極偏壓的I-V表征;
    電壓驅動的電流響應測試及電流驅動的電壓響應測試;
    可靠性和疲勞測試;
    可編程編成程序;
    可靠性和耐久性測試

    優點:
    一站式單極偏壓和雙極偏壓電阻開關材料的綜合評價(TCM,ECMVCM系統);
    超快響應系統(設置時間<100ns);
    調停過程電流電壓響應的真實電流電壓值的記錄系統;
    可實現遠程訪問和腳本控制;
    可選的數據庫連接(ODBC)方便確定材料/器件特征;
    升級服務;客戶支持


     



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